你的位置:保定万博广场有啥好玩的 > 新闻动态 > 比亚迪半导体申请半导体器件及电气设备专利, 降低边缘电场集中提升高压隔离耐压等级
比亚迪半导体申请半导体器件及电气设备专利, 降低边缘电场集中提升高压隔离耐压等级
- 发布日期:2025-02-02 14:57 点击次数:171
金融界2025年1月29日消息,国家知识产权局信息显示,比亚迪半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件及具有其的电气设备”的专利,公开号CN119365068A,申请日期为2023年7月。
专利摘要显示,本发明公开了一种半导体器件及具有其的电气设备,其中,半导体器件包括:衬底层、第一电极图形、隔离介质层和第二电极图形;在器件纵向上,第一电极图形位于衬底层之上,隔离介质层位于第一电极图形上,第二电极图形位于隔离介质层上;所述第一电极图形包括第一电极主体部,第二电极图形包括相连接的第二电极主体部和电极延伸部,在电极延伸部所在器件平面,电极延伸部位于第二电极主体部的外边缘;其中,在器件纵向上第二电极主体部与第一电极主体部对应设置,电极延伸部沿器件横向朝对应衬底层的边缘位置延伸。本发明的半导体器件和电气设备,通过设置电极的延伸部分,可以降低边缘电场集中,提升高压隔离耐压等级。
天眼查资料显示,比亚迪半导体股份有限公司,成立于2004年,位于深圳市,是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本45621.8756万人民币,实缴资本32535.67万人民币。通过天眼查大数据分析,比亚迪半导体股份有限公司共对外投资了9家企业,参与招投标项目517次,知识产权方面有商标信息3条,专利信息1408条,此外企业还拥有行政许可82个。
本文源自:金融界
相关资讯